X波段GaN基小相位移相器设计

• 作者: 刘辉 孙朋朋 张宗敬 罗卫军
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 移相器 低通开关滤波网络 GaN HEMT X波段 功率器件
• 年，卷（期）: 2018,（4）
• 所属期刊栏目: 半导体集成电路
• 页码范围: 255-259
• 页数: 5页
• 分类号: TN454|TN623
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2018.04.003

摘要

基于0.25 μm GaN HEMT工艺,设计并制作了X波段11.25°和22.5°的小相位移相器单片微波集成电路(MMIC),两个移相器单元均采用低通开关滤波型拓扑结构.最终芯片面积分别为0.9 mm× 1.05 mm和0.95 mm× 1.05 mm.芯片测试结果表明,两个小相位移相器性能良好,且测试结果与仿真结果吻合.在8 ～ 12 GHz频带内,11.25°和22.5°移相器电路的相移精度小于2.8°,输入回波损耗分别优于-15和-12 dB,插入损耗值分别小于1和1.5 dB,幅度波动分别小于0.8和1.3 dB.两个移相器电路的1 dB压缩点输入功率均大于36 dBm,其功率容限优于GaAs HEMT设计的移相器.结果表明,所设计的移相器具有优异的相移精度以及良好的功率性能,可广泛应用于高精度和大功率的雷达系统中.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘辉	中国科学院微电子研究所	70	395	10.0	17.0
5	罗卫军	中国科学院微电子研究所	17	35	4.0	5.0
9	孙朋朋	中国科学院微电子研究所	3	4	1.0	2.0
13	张宗敬	西安电子科技大学先进材料与纳米科技学院	2	1	1.0	1.0