P型栅增强型GaN功率开关器件的中子辐照效应

• 作者: 刘岩 张得玺 罗尹虹 郭晓强 陈伟
• 来源期刊: 现代应用物理
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓功率器件 增强型 栅注入晶体管 GaN 位移损伤效应
• 年，卷（期）: 2018,（3）
• 所属期刊栏目: 辐射效应及加固技术
• 页码范围: 51-56
• 页数: 6页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 4602字
• 语种: 中文
• DOI: 10.12061/j.issn.2095-6223.2018.030602

摘要

对采用P型栅增强型技术的GaN功率晶体管进行了反应堆1 MeV等效中子辐照效应实验.结果表明,在注量为1.5×1015 cm-2的中子辐照后,器件的阈值电压没有发生明显变化;栅压较大时,辐照后的饱和漏电流变小,这与沟道电子迁移率降低和二维电子气2DEG的退化有关;当漏极电压小于200V时,器件的关态漏电流明显增加,表明中子辐照重掺杂P型栅发生的载流子去除效应弱化了P型栅在零栅压下对沟道电子的耗尽,但器件栅极反向泄漏电流在辐照后没有变化,说明其对中子辐照具有一定的免疫能力.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗尹虹		54	199	8.0	10.0
2	陈伟		95	286	8.0	11.0
3	刘岩		10	36	3.0	5.0
4	郭晓强		27	152	7.0	11.0
5	张得玺		3	6	1.0	2.0