外电场辅助化学气相沉积方法制备网格状β-Ga2O3纳米线及其特性研究

• 作者: 冯秋菊 李彤彤 李昀铮 李梦轲 李芳 梁红伟 石博
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 外电场 化学气相沉积 β-Ga2O3 纳米线
• 年，卷（期）: 2018,（21）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 360-365
• 页数: 6页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.67.20180805

摘要

利用外电场辅助化学气相沉积(CVD)方法,在蓝宝石衬底上制备出了由三组生长方向构成的网格状β-Ga2O3纳米线.研究了不同外加电压大小对β-Ga2O3纳米线表面形貌、晶体结构以及光学特性的影响.结果表明:外加电压的大小对样品的表面形貌有着非常大的影响,有外加电场作用时生长的β-Ga2O3纳米线取向性开始变好,只出现了由三组不同生长方向构成的网格状β-Ga2O3纳米线;并且随着外加电压的增加,纳米线分布变得更加密集、长度明显增长.此外,采用这种外电场辅助的CVD方法可以明显改善样品的结晶和光学质量.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李梦轲	辽宁师范大学物理与电子技术学院	20	105	6.0	10.0
2	李芳	辽宁师范大学物理与电子技术学院	20	78	6.0	8.0
3	梁红伟	大连理工大学微电子学院	21	81	6.0	8.0
4	冯秋菊	辽宁师范大学物理与电子技术学院	8	8	2.0	2.0
5	李彤彤	辽宁师范大学物理与电子技术学院	3	2	1.0	1.0
6	李昀铮	辽宁师范大学物理与电子技术学院	2	0	0.0	0.0
7	石博	辽宁师范大学物理与电子技术学院	2	0	0.0	0.0