He2+注入六方SiC晶体损伤效应的拉曼光谱研究

• 作者: 刘会平 张利民 彭金鑫 李炳生 王志光 韩驿 魏孔芳
• 来源期刊: 现代应用物理
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 离子注入 拉曼光谱 损伤累积
• 年，卷（期）: 2018,（3）
• 所属期刊栏目: 辐射效应及加固技术
• 页码范围: 45-50
• 页数: 6页
• 分类号: TL62+7
• 字数: 4135字
• 语种: 中文
• DOI: 10.12061/j.issn.2095-6223.2018.030601

摘要

利用拉曼光谱研究了He2+注入六方SiC晶体样品时的损伤缺陷随注量的变化关系,并采用直接碰撞/缺陷模拟模型与多级损伤累积模型,模拟了室温及723,873,1 023 K下晶体样品的无序度随注量的变化关系.测试结果表明:随着注量的增加,晶体样品无序度增大,样品的拉曼特征峰强度减小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王志光	中国科学院近代物理研究所	39	183	8.0	11.0
2	李炳生	中国科学院近代物理研究所	18	66	5.0	7.0
3	张利民	兰州大学核科学与技术学院	6	13	2.0	3.0
4	彭金鑫	兰州大学核科学与技术学院	2	1	1.0	1.0
5	魏孔芳	中国科学院近代物理研究所	3	5	2.0	2.0
6	韩驿	中国科学院近代物理研究所	1	0	0.0	0.0
10	刘会平	中国科学院近代物理研究所	2	0	0.0	0.0