采用多级变速法生长AlGaAs电流扩展层的850nm红外发光二极管

• 作者: 陈凯轩
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 多级变速法 电流扩展层 发光二极管 金属有机化学气相外延
• 年，卷（期）: 2018,（1）
• 所属期刊栏目: 光电器件
• 页码范围: 6-9
• 页数: 4页
• 分类号: TN312.8
• 语种: 中文
• DOI: 10.16818/j.issn1001-5868.2018.01.002

摘要

对采用多级变速法生长AlGaAs电流扩展层的850 nm红外发光二极管进行了研究.研究发现,采用多级变速法生长n型Al0.25Ga0.75As电流扩展层有助于改善外延层表面形貌和后续外延层的晶体质量,从而减小850 nm红外发光二极管的漏电流及串联电阻.此外,采用多级变速法生长n型Al0.25Ga0.75As电流扩展层还可以避免在多量子阱(MQW)有源区中形成非辐射复合中心,从而提高850 nm红外发光二极管的亮度和寿命.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈凯轩		5	19	2.0	4.0