基于自举共源共栅的CMOS E类功率放大器的设计

• 作者: 林福江 许定华
• 来源期刊: 电子技术
• 关键词: 集成射频电路 E类功率放大器 自举共源共栅
• 年，卷（期）: 2018,（6）
• 所属期刊栏目: 电子技术设计与应用
• 页码范围: 72-75
• 页数: 4页
• 字数: 2320字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0755.2018.06.019

摘要

功率放大器影响着无线发射机的总功耗和效率.开关类的E类功率放大器能达到很高的效率,但是在功率管上的最大电压压降为2.6倍Vdd,易有击穿或损坏器件的寿命.将自举共源共栅结构用在E类功率放大器中可以使系统能承受更大的压降.用GF 130nm工艺制作的2.4GHz的E类功率放大器表明,这种结构能承受2.1V电源电压,输出18dBm的功率,效率43.2％.电源电压比普通共源共栅结构有23％的提升.自举共源共栅结构实现开关类功率放大器的文献在IEEE检索中尚未出现.可以尝试进一步拓展到其他多种E/F族功率放大器中,或者运用在包络消除与恢复功率放大器等更复杂的结构里.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林福江	中国科学技术大学信息科学技术学院	44	42	3.0	4.0
2	许定华	中国科学技术大学信息科学技术学院	1	1	1.0	1.0