MOCVD生长AlGaInAs/InP多量子阱激光器

• 作者: 刘应军 朱天雄 李灯熬 罗飚 贾华宇
• 来源期刊: 光通信研究
• 学科: 工学
• 关键词: 激光器 量子阱 金属有机物化学气相沉淀 应变补偿 AlGaInAs/InP 共面电极
• 年，卷（期）: 2018,（4）
• 所属期刊栏目: 光电器件研究与应用
• 页码范围: 31-34,60
• 页数: 5页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 3022字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13756/j.gtxyj.2018.04.008

摘要

为研制符合高线性大功率的应变多量子阱激光器,文章在理论上计算了应变补偿,实验选用了金属有机物化学气相沉淀(MOCVD)工艺来研制生长AlGaInAs应变补偿多量子阱结构,最终有源区采用了7组张压应变交替的势垒和势阱层.激光器样本芯片采用共面电极结构,使得激光器的工作电流无需通过衬底,从而降低了激光器工作电容,其电容与传统激光器相比得到相应地减小,提高了激光器的光电特性.实验室制作出了应变多量子阱激光器样本芯片,光荧光分析得出光致发光谱,激射波长为1304 nm;阈值电流为I th≤9 mA;单面斜率效率为0.44 W/A.测试结果表明该器件有良好的性能参数.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李灯熬	太原理工大学信息工程学院	76	285	7.0	12.0
2	贾华宇	太原理工大学信息工程学院	20	49	4.0	5.0
3	罗飚		14	21	3.0	3.0
4	刘应军		5	7	1.0	2.0
5	朱天雄	太原理工大学物理与光电工程学院	2	2	1.0	1.0