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摘要:
以W-10%Ti二元合金靶材为原材料,采用直流磁控溅射法在Si基体上制备了W-Ti-N三元薄膜,研究了N2分压和溅射功率对薄膜相结构和N含量的影响;在W-Ti-N/Si结构的基础上制备了Cu/W-Ti-N/Si多层结构,并对其在不同的温度下进行真空热处理.结果表明:通过调整N2分压和溅射功率,即N2/Ar比为1:3且功率为70 W时可以获得非晶态W-Ti-N薄膜.薄膜在700℃以下热处理时具有非常好的热稳定性,方块电阻小于0.6Ω/□,略高于退火前的0.285Ω/□.但退火温度超过700℃后,稳定性迅速下降,在800℃退火后方块电阻达到170Ω/□.Cu布线用W-Ti-N非静态薄膜扩散阻挡层退火过程中的失效机理主要为元素间的界面扩散及反应.
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 W-Ti-N薄膜的制备及其热稳定性
来源期刊 金属热处理 学科 工学
关键词 W-Ti-N薄膜 直流磁控溅射 电阻 热稳定性 失效
年,卷(期) 2018,(12) 所属期刊栏目 工艺研究
研究方向 页码范围 220-225
页数 6页 分类号 TG146.4
字数 语种 中文
DOI 10.13251/j.issn.0254-6051.2018.12.044
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王君龙 渭南师范学院化学与材料学院 48 248 8.0 12.0
2 王庆相 6 23 2.0 4.0
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研究主题发展历程
节点文献
W-Ti-N薄膜
直流磁控溅射
电阻
热稳定性
失效
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
金属热处理
月刊
0254-6051
11-1860/TG
大16开
北京市海淀区学清路18号北京机电研究所内
2-827
1958
chi
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10103
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