CdZnTe晶体表面Au电极薄膜的制备及其欧姆接触性质

• 作者: 刘雨从 张建国 戴宁 殷子薇 沈悦 王林军 王超 谢经辉 邓惠勇 陈嘉栋
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 碲锌镉 Au薄膜制备 欧姆接触 交流阻抗谱
• 年，卷（期）: 2018,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 273-278
• 页数: 6页
• 分类号: O472
• 字数: 3653字
• 语种: 中文
• DOI: 10.15541/jim20170186

摘要

为了研究不同制备工艺对电极欧姆接触特性的影响, 分别采用真空蒸发法、溅射法及化学沉积法在CdZnTe晶片表面制备了Au薄膜电极, 通过测试样品的SEM、I-V曲线及交流阻抗谱, 研究了不同电极制备工艺及退火处理对Au薄膜电极的微观结构及欧姆接触特性的影响.结果表明化学沉积法制备的Au薄膜表面更加平整、致密, 接触势垒的高度较低, 电极欧姆接触特性最好.退火处理可以改善电极的欧姆接触特性, 100℃退火后, 化学沉积法制备的Au电极的欧姆系数由0.883提高至0.915, 势垒高度由0.492降低至0.487 eV.交流阻抗谱分析表明, 化学沉积法制备电极具有最低的接触势垒, 这与界面处晶片表面的掺杂及缺陷的变化有关.