面向VCSEL的Al0.98Ga0.02As薄膜湿法氧化的研究

• 作者: 宁少欢 张天杰 李晶晶 林楠 林涛 段玉鹏 祁琼 郭恩民 马骁宇
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: 垂直腔面发射激光器 湿法氧化 砷化铝镓 金属有机化学气相淀积
• 年，卷（期）: 2018,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 266-272
• 页数: 7页
• 分类号: TQ174
• 字数: 4628字
• 语种: 中文
• DOI: 10.15541/jim20170130

摘要

为了系统研究 VCSEL制作中的湿法氧化过程和机理, 设计了专门的材料结构并采用 MOCVD 技术进行外延生长.对经过光刻和干法刻蚀形成的台面结构样品进行不同时间的湿法氧化, 由表面形貌及断面结构来确定氧化程度.研究发现, 氧化时间较短时, Al0.98Ga0.02As层的横向氧化深度随氧化时间呈线性变化; 随着氧化时间增加, 横向氧化深度与氧化时间呈抛物线变化, 并渐趋于饱和.此外实验中发现 Al0.98Ga0.02As 层的湿法氧化速度可比Al0.9Ga0.1As 层高一个数量级, 且 Al0.9Ga0.1As 层的湿法氧化速度随其层厚增加而增大.最后根据修正的一维Deal-Grove氧化模型计算了受限空间内Al0.98Ga0.02As层横向氧化深度随氧化时间的变化关系.