基于低频噪声检测的电力MOSFET可靠性分析

• 作者: 杨连营 樊欣欣 陈秀国
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 电力金属氧化物半导体场效应晶体管(P-MOSFET) 可靠性分析 阈值筛选 低频噪声检测 功率谱密度
• 年，卷（期）: 2018,（1）
• 所属期刊栏目: 半导体检测与设备
• 页码范围: 75-80
• 页数: 6页
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2018.01.012

摘要

针对变电所中通信电源的核心器件电力金属氧化物半导体场效应晶体管(power MOSFET,P-MOSFET)在大功率、强电流下易损坏、故障率高,直接影响电力通信业务的安全稳定运行的问题,提出了一种基于低频噪声检测的可靠性分析方法.利用互功率谱测量方法检测P-MOSFET内部的本征低频噪声,根据频段阈值法的拐点噪声谱,确定P-MOSFET筛选的上下限阈值大小,建立了P-MOSFET的1/f噪声功率谱密度及其阈值的对应关系式.实验结果表明,与传统的有损检测法相比,该方法能够有效评估P-MOSFET的三种可靠性等级,提高了可靠性筛选的准确率,为其他晶体管的可靠性评估提供了参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	樊欣欣		14	18	3.0	4.0
2	陈秀国		11	18	3.0	4.0
3	杨连营		9	20	3.0	4.0