基于碱性硅溶胶磨料的石英玻璃的化学机械抛光

• 作者: 刘玉岭 张文倩 李洪波 李红亮 王辰伟
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 石英玻璃 化学机械抛光(CMP) pH值 硅溶胶 碱性抛光液 碳酸胍
• 年，卷（期）: 2018,（2）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 135-142
• 页数: 8页
• 分类号: TN305.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2018.02.010

摘要

研究了pH值对石英玻璃抛光性能的影响,采用动态光散射及Zeta电位对化学机械抛光(CMP)使用的硅溶胶进行分析表征,采用原子力显微镜(AFM)对抛光后石英玻璃表面形貌进行了分析.对pH值作用范围的研究表明,仅用去离子水进行抛光,石英玻璃去除速率几乎为0;在酸性环境里,随着pH值由6降低至4,石英玻璃去除速率增大,可能是由于磨料粒径增大引起的;而在碱性环境里,随着pH值增大,OH-浓度增大,导致石英玻璃溶解度增大,去除速率加快;在石英玻璃的抛光过程中,硅溶胶的机械作用对石英玻璃去除速率有至关重要的影响;另外,抛光液中添加助溶剂碳酸胍进一步提高了石英玻璃表面质量和去除速率,并研究了其去除机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉岭	河北工业大学电子信息工程学院	263	1540	17.0	22.0
2	李洪波	河北工业大学电子信息工程学院	7	21	2.0	4.0
5	王辰伟	河北工业大学电子信息工程学院	80	287	8.0	10.0
7	李红亮		21	3	1.0	1.0
8	张文倩	河北工业大学电子信息工程学院	11	36	3.0	5.0