单晶LaB6尖锥几何结构对场发射性能影响的CST模拟

• 作者: 冯琦 刘洪亮 张久兴 张忻 肖怡新 赵吉平
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 单晶六硼化镧 场致发射 尖锥 CST
• 年，卷（期）: 2018,（2）
• 所属期刊栏目: 电子器件
• 页码范围: 140-143
• 页数: 4页
• 分类号: O462.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.13922/j.cnki.cjovst.2018.02.11

摘要

单晶LaB6尖锥有望成为理想的场致电子发射阴极,采用三维粒子模拟软件Computer Simulation Technology (CST)对尖锥曲率半径在0.1 ～10 μm范围内的系列单晶LaB6尖锥阴极的场致发射特性进行了模拟.研究结果表明,单晶LaB6尖锥的电子发射轨迹为倒立锥形,锥尖处电位线最密集且场强最大,且随锥尖曲率半径的减小,锥尖处场强增大,发射电流增大.当LaB6尖锥的锥角40°,锥高Ht=2 mm,锥尖曲率半径Rt=0.1μm时,尖锥获得最佳场发射性能:电场强度E=7.22×107 V/cm,发射电流I=25.5 μA.为具有优良场发射性能的单晶LaB6尖锥场发射阴极的几何结构设计和加工提供了理论指导.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张忻	北京工业大学材料科学与工程学院新型功能材料教育部重点实验室	52	194	6.0	12.0
2	刘洪亮	北京工业大学材料科学与工程学院新型功能材料教育部重点实验室	8	10	2.0	2.0
3	肖怡新	北京工业大学材料科学与工程学院新型功能材料教育部重点实验室	4	6	1.0	2.0
4	冯琦	北京工业大学材料科学与工程学院新型功能材料教育部重点实验室	3	30	2.0	3.0
5	赵吉平	北京工业大学材料科学与工程学院新型功能材料教育部重点实验室	2	2	1.0	1.0