一种基于电荷保持的MOSFET低损驱动电路

• 作者: 刘坤荣 陈为
• 来源期刊: 电气开关
• 学科: 工学
• 关键词: MOSFET驱动电路 H桥 低损驱动电路
• 年，卷（期）: 2018,（5）
• 所属期刊栏目: 设计与研究
• 页码范围: 65-70
• 页数: 6页
• 分类号: TM13
• 字数: 1664字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-289X.2018.05.016

摘要

本文提出一种基于电荷保持的MOSFET低损驱动电路,对电路的工作原理、性能特性进行分析,并建立仿真模型.该驱动电路由变压器原边H桥、驱动变压器T及副边次级驱动电路构成;原边H桥由四个MOSFET组成,副边次级驱动电路由两个MOSFET及一双向开关管组成.通过理论计算与仿真分析可知该驱动电路具有驱动效率高、既能驱动单管也能驱动双管、驱动电路的开关部分能实现软开关等优点.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈为	福州大学电气工程与自动化学院	171	1274	19.0	31.0
2	刘坤荣	福州大学电气工程与自动化学院	1	1	1.0	1.0