不同调制比的Al/MoO3含能半导体桥电爆特性研究

• 作者: 叶迎华 吴立志 太玉 沈瑞琪 许建兵
• 来源期刊: 火工品
• 关键词: Al/MoO3含能复合薄膜 半导体桥 调制比 电爆特性
• 年，卷（期）: 2018,（1）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 6-10
• 页数: 5页
• 分类号: TJ450.3
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-1480.2018.01.002

摘要

调制比是薄膜制备中体现材料化学计量比的重要参数,直接影响含能复合薄膜的反应性能.为了研究Al/MoO3含能复合薄膜在半导体桥上复合的最佳调制比,采用磁控溅射工艺分别制备了3种调制比的Al/MoO3含能复合薄膜和Al/MoO3含能半导体桥.研究了薄膜的形貌、热反应性能与Al/MoO3含能半导体桥在不同充电电压下的电爆过程.结果表明适当调整调制比可以减小临界激发能量,缩短临界激发时间,提高含能半导体桥的燃烧时间.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	叶迎华	南京理工大学化工学院	123	751	15.0	19.0
2	沈瑞琪	南京理工大学化工学院	171	1017	16.0	20.0
3	吴立志	南京理工大学化工学院	42	141	6.0	9.0
4	许建兵	南京理工大学化工学院	5	17	3.0	4.0
5	太玉	南京理工大学化工学院	1	2	1.0	1.0