基于模式扩展层结构的980 nm小发散角半导体激光器模拟研究

• 作者: 彭鸿雁 曲轶 曾丽娜 李再金 李林 赵志斌
• 来源期刊: 现代物理
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体激光器 垂直发散角 阈值电流密度 限制因子 模式扩展层
• 年，卷（期）: xdwl_2018,（6）
• 页码范围: 265-270
• 页数: 6页
• 分类号: TN2

摘要

为了获得小垂直发散角和较低阈值电流密度,本文设计了一种基于模式扩展层结构的980 nm In-GaAs/GaAs/AlGaAs单量子阱激光器新型结构。通过Crosslight软件模拟优化,研究了模式扩展层和低折射率层对激光器的垂直发散角及阈值电流密度的影响。当激光器垂直发散角为17?时,激光器阈值电流密度为257 A/cm2。垂直发散角最小可以达到15?左右,阈值电流密度为494 A/cm2。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	彭鸿雁		17	1	1.0	1.0
2	曲轶		18	7	2.0	2.0
3	曾丽娜		12	0	0.0	0.0
4	李林		12	0	0.0	0.0
5	李再金		12	0	0.0	0.0
6	赵志斌		9	0	0.0	0.0