TiN薄膜制备方法、性能及其在OLED方面应用的研究

• 作者: 刘腾飞 吕军锋 吴远武 张阳 杨建兵
• 来源期刊: 光电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化钛 有机电致发光 电极
• 年，卷（期）: 2018,（3）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 190-194
• 页数: 5页
• 分类号: TN27
• 语种: 中文
• DOI: 10.19453/j.cnki.1005-488x.2018.03.008

摘要

基于磁控溅射法制备用于OLED器件阳极的TiNx薄膜电极.研究了N2流量和溅射功率对TiNx薄膜电阻率和反射率的影响.采用四探针、光学光度计、SEM等测试手段对TiNx薄膜进行了表征.结果表明,TiNx薄膜电阻率为35.6μΩ·cm时性能最佳,制作的OLED器件在5V电压下亮度可到22 757 cd/m2.