非均相沉淀法制备PLZT富锆陶瓷及其电击穿性能研究

• 作者: 张云红 朱朝宽 杜力 杨洪 王晶晶
• 来源期刊: 重庆工商大学学报（自然科学版）
• 学科: 数学
• 关键词: PZT95/5型铁电陶瓷 非均相沉淀法 抗电击穿强度 韦布尔分布
• 年，卷（期）: 2018,（2）
• 页码范围: 78-86
• 页数: 9页
• 分类号: O221.2
• 字数: 5619字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16055/j.issn.1672058X.2018.0002.0015

摘要

PZT95/5型铁电陶瓷的抗电击穿强度对材料的实际应用至关重要,实际应用中PZT95/5型铁电陶瓷较低的抗电击穿强度限制了它的应用;选择了PZT95/5型铁电陶瓷材料为研究对象,以提高材料的抗电击穿强度为目的,从材料的制备工艺、材料的微观结构的优化以及电击穿性能等方面,探索提高PZT95/5型铁电陶瓷抗电击穿强度的途径;采用了传统固相法、非均相沉淀法制备出了不同微观结构和性能的PZT95/5型铁电陶瓷;研究表明,采用非均相沉淀法制备了PZT95/5型铁电陶瓷,其介电、压电、铁电性能和抗电击穿性能都优于传统固相法所制备陶瓷的性能;根据弱点导致电击穿的理论,采用韦布尔分布表征和研究了所制备的PZT95/5型铁电陶瓷的电击穿性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杜力	重庆工商大学制造装备机构设计与控制重点实验室	57	256	8.0	12.0
2	朱朝宽	重庆工商大学制造装备机构设计与控制重点实验室	28	99	6.0	8.0
3	杨洪	重庆工商大学制造装备机构设计与控制重点实验室	12	66	6.0	8.0
4	张云红	重庆工商大学制造装备机构设计与控制重点实验室	1	0	0.0	0.0
5	王晶晶		1	0	0.0	0.0