使用Y函数方法提取MoS2 FET双向扫描电学参数

• 作者: 刘强 卢意飞 赵宇航
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: MoS2场效应晶体管(FET) Y函数方法 寄生电阻 杂质电荷 回滞特性
• 年，卷（期）: 2018,（2）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 125-130,159
• 页数: 7页
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2018.02.007

摘要

利用机械剥离法制备了多层背栅MoS2场效应晶体管(FET),通过双向栅压扫描提取了器件的转移特性曲线,并利用Y函数方法提取了器件的电学参数.结果表明,利用Y函数法提取的载流子迁移率值明显大于利用跨导法提取的载流子迁移率值.这两种提取方法的不同之处在于Y函数方法考虑了寄生电阻的影响,而跨导法则将其忽略了,这说明寄生电阻带来的影响是显著的.此外,该器件在双向扫描过程中出现了明显的回滞特性,这主要是MoS2材料吸附外界杂质电荷造成的.无论采用跨导法还是Y函数方法,其正向扫描和反向扫描时对应的电学参数都不完全一致.这表明在分析MoS2 FET的电学性能时,除了考虑器件的寄生电阻外,还需要考虑界面电荷的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵宇航		14	18	3.0	4.0
2	刘强	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	235	4502	28.0	60.0
3	卢意飞		1	0	0.0	0.0