基于InAs/GaSb二类超晶格的中/长波双色红外探测器

• 作者: 吕粤希 孙姚耀 徐应强 牛智川 王国伟 蒋志 蒋洞微 郝宏玥 郭春妍 韩玺
• 来源期刊: 航空兵器
• 学科: 工学
• 关键词: InAs/GaSb超晶格 分子束外延 中/长波双色 红外探测器
• 年，卷（期）: 2018,（2）
• 所属期刊栏目: 航空武器技术
• 页码范围: 56-59
• 页数: 4页
• 分类号: TN215
• 字数: 1286字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19297/j.cnki.41-1228/tj.2018.02.010

摘要

InAs/GaSb二类超晶格是一种通过在纳米尺寸上交替生长周期性异质结而构造的人工体材料,其有效带隙可以覆盖40~400 meV.该量子体系材料不仅具有良好的均匀性,还拥有出色的光学特性,其电子有效质量高、光吸收系数大、量子效率高,已经成为第三代红外焦平面探测器的热门材料.本文利用分子束外延技术生长了背靠背势垒型中/长波双色红外探测器材料,通过标准工艺和阳极硫化技术,成功制备双波段NMπP-PπMN型红外探测器.在77 K,中波峰值量子效率为32%,长波峰值量子效率为27%,50%截止波长分别为4.7 μm和7.9 μm.中波信号在+2 V偏压下饱和,暗电流密度为0.06 A/cm2,长波信号在-1.4 V偏压下饱和,暗电流密度为8.7 A/cm2.