围栅硅纳米线MOSFET器件的仿真研究

• 作者: 刘一婷 宫兴 闫娜
• 来源期刊: 微处理机
• 学科: 工学
• 关键词: 量子效应 短沟道效应 围栅硅纳米线MOSFET SILVACOTCAD仿真
• 年，卷（期）: 2018,（2）
• 所属期刊栏目: 大规模集成电路设计、制造与应用
• 页码范围: 1-4
• 页数: 4页
• 分类号: TN47
• 字数: 2331字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-2279.2018.02.001

摘要

随着大规模集成电路的发展,IC工艺特征尺寸逐渐进入了纳米量级,与此伴随而生了不可避免的短沟道效应(SCE)如:漏至势垒降低效应、阈值电压滚降效应、亚阈斜率退化等.围栅硅纳米线MOSFET(GAA-MOSFETS)器件具有优良的栅控能力和载流子输运特性,被视为可以将器件尺寸缩小到极限尺寸的理想器件结构.通过将量子运输效应应用到器件建模中,针对P型GAA-MOSFET器件展开研究,探讨了GAA-MOSFET器件的能带结构、沟道直径等参数对阈值电压、亚阈值摆幅等参数的影响,并利用Silvaco TCAD软件的数值计算来对GAA-MOSFET器件结构与性能进行仿真验证.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	闫娜	沈阳工业大学信息科学与工程学院	2	1	1.0	1.0
2	宫兴	沈阳工业大学信息科学与工程学院	3	2	1.0	1.0
3	刘一婷	沈阳工业大学信息科学与工程学院	5	7	1.0	2.0