蓝宝石衬底上高质量AlN材料的制备

• 作者: 黄科
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化铝(AlN) 金属有机化学气相沉积(MOCVD) 交替生长模式 高晶体质量 低位错密度
• 年，卷（期）: 2018,（2）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 143-147
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.23
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2018.02.011

摘要

设计了一种三维和二维交替(3D/2D)生长模式,并使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底上通过3D/2D交替生长模式制备了AlN外延材料.高分辨X射线衍射仪测试结果表明,相较于纯3D和2D生长模式制备的AlN材料,3D/2D交替生长模式制备的AlN材料的(002)和(102)半高宽都有所减小,表明该3D/2D交替生长模式制备的AlN材料具有更高的晶体质量和更低的位错密度.原子力显微镜(AFM)测试表明,每个周期中3DAlN层与2D AlN层的厚度不同,3D/2D AlN样品的粗糙度不同.当单个周期中,3D AlN层厚度为100 nm和2D AlN层厚度为300 nm时,AlN表面平整,原子台阶清晰.喇曼光谱测试表明所有AlN样品都是c轴择优取向,3D/2D交替生长模式并不会改变AlN材料的生长方向.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄科	中国电子科技集团公司第十三研究所	6	20	3.0	4.0