溅射功率对硅基哈氏合金薄膜性能的影响

• 作者: 庞甜甜 张东庆 王国栋 陈宗武 陈长琦
• 来源期刊: 真空
• 学科: 工学
• 关键词: 哈氏合金C276 磁控溅射 溅射功率 室温 性能
• 年，卷（期）: 2018,（2）
• 页码范围: 1-4
• 页数: 4页
• 分类号: TB43|O484
• 语种: 中文
• DOI: 10.13385/j.cnki.vacuum.2018.02.01

摘要

以硅片为基体,采用直流磁控溅射镀膜方法,制备了不同厚度的耐腐蚀的哈氏合金薄膜.采用SEM、XPS、显微硬度等方法,研究了室温条件下,不同溅射功率的哈氏合金薄膜的表面形貌、化学组成、膜厚以及硬度等性能,分析结果表明:低功率沉积的薄膜由纳米级均匀的球形颗粒构成,表面均匀平整,随着溅射功率的升高,晶粒尺度逐渐长大,表面应力随之增大;薄膜中大部分元素都以金属态存在;提高溅射功率,发现薄膜的硬度呈先升后降趋势.磁控溅射法制备的薄膜仍具有哈氏合金原有的特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈长琦	合肥工业大学机械工程学院真空科技与装备研究所	119	1027	16.0	26.0
2	王国栋	合肥工业大学机械工程学院真空科技与装备研究所	20	61	4.0	6.0
3	陈宗武		7	30	4.0	5.0
4	张东庆		7	30	4.0	5.0
5	庞甜甜	合肥工业大学机械工程学院真空科技与装备研究所	1	0	0.0	0.0