退火温度对Ga掺杂SnO2薄膜结构和光致发光特性的影响

• 作者: 何春清 周亚伟 徐文武 朱毕成 李静静
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 物理学
• 关键词: 电子束镀膜 Ga掺杂氧化锡薄膜 退火温度 结构 发光特性
• 年，卷（期）: 2018,（1）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 61-64
• 页数: 4页
• 分类号: O484.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.16818/j.issn1001-5868.2018.01.013

摘要

利用电子束蒸镀在石英玻璃上制备出Ga掺杂的SnO2 (SnO2∶Ga)薄膜.结合X射线衍射仪、原子力显微镜、紫外-可见-近红外分光光度计和光致发光谱,研究了不同退火温度对薄膜的结构与发光特性的影响.研究结果表明:当退火温度超过500℃,薄膜呈现四方金红石结构,随着退火温度的提高,晶粒尺寸增大,薄膜的禁带宽度变宽,发光强度逐渐增加,成功制备出发蓝紫光的SnO2∶Ga薄膜.薄膜样品在700℃下退火后光致发光强度显著增强,这是因为随着退火温度的升高,SnO2∶Ga薄膜的非辐射中心减少,有利于发生辐射复合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何春清	武汉大学物理科学与技术学院湖北省核固体物理重点实验室	12	39	3.0	6.0
2	李静静	武汉大学物理科学与技术学院湖北省核固体物理重点实验室	13	25	3.0	4.0
3	朱毕成	武汉大学物理科学与技术学院湖北省核固体物理重点实验室	2	1	1.0	1.0
4	周亚伟	武汉大学物理科学与技术学院湖北省核固体物理重点实验室	2	1	1.0	1.0
5	徐文武	武汉大学物理科学与技术学院湖北省核固体物理重点实验室	2	1	1.0	1.0