高速InGaAs光电探测器γ辐照实验研究

• 作者: 付倩 唐艳 崔大建 柳聪 樊鹏 申志辉
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 高速InGaAs探测器 γ辐照 在线测试
• 年，卷（期）: 2018,（4）
• 所属期刊栏目: 光电器件
• 页码范围: 486-489
• 页数: 4页
• 分类号: TN15
• 语种: 中文
• DOI: 10.16818/j.issn1001-5868.2018.04.007

摘要

高速InGaAs光电探测器在天基平台中的应用正逐渐广泛,研究空间辐射环境对高速InGaAs光电探测器性能的影响有着重要意义.采用实时测试法,研究了不同剂量及不同剂量率的γ辐照对高速InGaAs光电探测器响应度、3 dB带宽及暗电流特性的影响,通过器件性能实时测试分析发现,器件的暗电流随辐照剂量或剂量率的增加而增大,而响应度、3 dB带宽基本不变.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	申志辉		7	7	2.0	2.0
2	唐艳		2	0	0.0	0.0
3	樊鹏		2	0	0.0	0.0
4	柳聪		2	0	0.0	0.0
5	付倩		1	0	0.0	0.0
6	崔大建		1	0	0.0	0.0