气体流量对Si与光刻胶选择比的影响

• 作者: 张文琼 高志廷
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 等离子体 ICP 流量 选择比
• 年，卷（期）: 2018,（10）
• 页码范围: 2196-2199
• 页数: 4页
• 分类号: TQ170.6
• 字数: 1833字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2018.10.034

摘要

采用等离子ICP刻蚀机,对<110>向单晶硅进行真空刻蚀.结果表明:随着时间的增大,刻蚀深度(纵向距离)在增大,刻蚀速率为200 nm/min;侧蚀距离(横向距离)随着时间的推移而增大,在60 min时候,单壁侧蚀距离为1.5μm,侧蚀速率在50 nm/min;Si的刻蚀速率随着SF6的气体流量的增加而增大,当流量达到80 sccm,刻蚀速率为268 nm/min;光刻胶刻蚀速率却随着气体流量的增加而降低,在70 sccm时候,光刻胶刻蚀速率为32 nm/min;光刻胶的刻蚀速率与Si的刻蚀速率在一定场合下呈现反比例关系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张文琼	厦门大学嘉庚学院	11	11	2.0	2.0
2	高志廷		1	1	1.0	1.0