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SRAM-FPGA抗单粒子翻转方法和预估
SRAM-FPGA抗单粒子翻转方法和预估
作者:
刘波
刘辉
司圣平
张恒
蒋应富
郭强
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
静态随机存储器型现场可编程门阵列
单粒子翻转
抗单粒子翻转方法
单粒子翻转率预估
摘要:
为解决卫星通信系统中赛灵思公司的静态随机存储器型现场可编程门阵列(Xilinx SRAM FPGA)单粒子翻转问题,提出了一种占用硬件资源少,可靠度高的抗单粒子方法.该方法使用爱特公司的现场可编程门阵列作为检测芯片,可编程只读存储器芯片存储屏蔽位文件,通过联合测试工作组模式回读Xilinx FPGA配置文件并进行校验,发现出错则重新加载配置文件,消除单粒子翻转影响.该方法已成功在轨应用于某卫星通信系统.为计算卫星通信系统的可靠度,提出使用品质因数方法预估静态随机存储器型现场可编程门阵列单粒子翻转率,并与在轨实测数据进行比较,证明使用该方法的正确性,同时计算出实际飞行轨道的单粒子翻转率系数,为其他静态随机存储器型现场可编程门阵列、存储器等芯片的单粒子翻转率预估提供数据支撑,为我国卫星通信系统可靠性研究与设计提供参考.
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单粒子翻转
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温度对TFT SRAM单粒子翻转及其空间错误率预估的影响
重离子
单粒子效应
单粒子翻转
温度效应
空间错误率预估
静态随机存储器
内容分析
文献信息
引文网络
相关学者/机构
相关基金
期刊文献
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数
(/次)
(/年)
文献信息
篇名
SRAM-FPGA抗单粒子翻转方法和预估
来源期刊
西安电子科技大学学报(自然科学版)
学科
航空航天
关键词
静态随机存储器型现场可编程门阵列
单粒子翻转
抗单粒子翻转方法
单粒子翻转率预估
年,卷(期)
2018,(1)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
112-116
页数
5页
分类号
V443+.1
字数
3586字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1001-2400.2018.01.020
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
张恒
13
24
3.0
4.0
2
刘波
11
16
3.0
3.0
3
郭强
4
6
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2.0
4
司圣平
4
9
2.0
2.0
5
刘辉
7
14
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3.0
6
蒋应富
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传播情况
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引证文献(1)
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引证文献(2)
二级引证文献(1)
2020(3)
引证文献(2)
二级引证文献(1)
研究主题发展历程
节点文献
静态随机存储器型现场可编程门阵列
单粒子翻转
抗单粒子翻转方法
单粒子翻转率预估
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
西安电子科技大学学报(自然科学版)
主办单位:
西安电子科技大学
出版周期:
双月刊
ISSN:
1001-2400
CN:
61-1076/TN
开本:
出版地:
西安市太白南路2号349信箱
邮发代号:
创刊时间:
语种:
chi
出版文献量(篇)
4652
总下载数(次)
5
总被引数(次)
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