16级模拟电压域CMOS-TDI传感器读出电路

• 作者: 计成 陈永平
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS 时间延迟积分 信噪比 模拟电压域 读出电路
• 年，卷（期）: 2018,（4）
• 所属期刊栏目: 光电器件
• 页码范围: 477-481
• 页数: 5页
• 分类号: TN492
• 语种: 中文
• DOI: 10.16818/j.issn1001-5868.2018.04.005

摘要

为了提高推扫(Push-Broom)成像系统的信噪比(SNR),提出了一种可以在模拟域下实现时间延迟积分(Time-Delay-Integration,TDI)功能的CMOS.APS读出电路.区别于以往的数字域算法TDI,在模拟域下累加可以获得更小的噪声和较慢的ADC读出速率.读出电路主要由像素阵列、TDI累加阵列、电荷放大器、S&H单元和行列选择逻辑单元等部分构成.通过与外部FPGA生成的时序逻辑相配合,实现了TDI电压信号的累加.分析了主要单元的噪声源大小和抑制方法,并在CSMC 0.5 μm工艺下完成流片,最后通过Labview等测试系统测量了相应的探测器指标并验证了SNR与TDI级数的关系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈永平	中国科学院上海技术物理研究所	25	98	6.0	8.0
2	计成	中国科学院上海技术物理研究所	2	1	1.0	1.0