一款低附加相位噪声X波段四倍频MMIC的设计

• 作者: 吴永辉 吴洪江 方园
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs异质结双极性晶体管(HBT) X波段 四倍频器 附加相位噪声 单片微波集成电路(MMIC)
• 年，卷（期）: 2018,（2）
• 所属期刊栏目: 半导体集成电路
• 页码范围: 106-109,153
• 页数: 5页
• 分类号: TN43|TN771
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2018.02.003

摘要

基于GaAs异质结双极性晶体管(HBT)工艺设计了一款输出频率为8～10 GHz的X波段四倍频器单片微波集成电路(MMIC).采用两级对管平衡倍频器级联结构,并在输出端设计了驱动放大器,实现了高变频增益和良好谐波抑制.基于GaAs HBT工艺优良的闪烁噪声(1/f)特性,优化了对管平衡电路拓扑和工作点的选取,达到低附加相位噪声的设计目标.对MMIC进行了在片微波探针测试,测试结果表明,当输入功率为-10 dBm时,在8～ 10 GHz输出频率内变频增益大于13 dB,二次谐波抑制大于18 dBc,其余各次抑制优于27 dBc.电路采用单电源5V供电,工作电流为55 mA,芯片面积仅为1.3mm×1.1mm.介绍了附加相位噪声及其对频率源系统的影响,并分析了正交鉴相法测量相位噪声的原理,所设计的MMIC在输出频率为9 GHz、频偏100 kHz时附加相位噪声达到-143 dBc/Hz.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴洪江	中国电子科技集团公司第十三研究所	49	225	8.0	10.0
2	方园	中国电子科技集团公司第十三研究所	11	23	4.0	4.0
3	吴永辉	中国电子科技集团公司第十三研究所	5	9	2.0	3.0