IGBT结构设计发展与展望

• 作者: 李碧姗 王昭 董妮
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: IGBT PT NPT SPT Trench-FS CSTBT RC-IGBT
• 年，卷（期）: 2018,（2）
• 页码范围: 1-8,45
• 页数: 9页
• 分类号: TM215.92
• 字数: 7162字
• 语种: 中文

摘要

首先从绝缘栅型双极性晶体管(IGBT)的物理模型展开讨论,分析了影响IGBT性能的几个重要特性参数,对其结构的优化和改进提供了理论支撑.其次论述了IGBT问世以来的主要结构设计发展历程,以及国际主流IGBT设计厂商对各自IGBT产品结构做出的独创性改进.最后对目前研究的新技术热点如逆导型IGBT半导体器件进行了介绍,并对IGBT器件的发展方向提出展望.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王昭		6	10	1.0	3.0
2	李碧姗		1	9	1.0	1.0
3	董妮		3	9	1.0	3.0