使用SiC开关的两电平和三电平逆变器损耗与效率分析

• 作者: 余泓圻 李钙 王庆斌 程向文 陈岭辉 黄辉
• 来源期刊: 广东电力
• 学科: 工学
• 关键词: 逆变器 损耗 开关频率 两电平 三电平
• 年，卷（期）: 2018,（1）
• 所属期刊栏目: 输配电技术
• 页码范围: 99-105
• 页数: 7页
• 分类号: TM464
• 字数: 3301字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-290X.2018.001.018

摘要

针对使用碳化硅的两电平和三电平逆变器,首先阐述了逆变器的损耗组成及碳化硅材料的 MOSFET 和二极管的损耗计算方法;进而分析了两电平和三电平逆变器的导通规律及损耗计算方法;最后结合工程实际应用,从开关损耗、导通损耗、效率等方面对两电平和三电平逆变器进行比较.所得结论为两电平的导通损耗小,而三电平的开关损耗小,在开关频率较高的场合下三电平逆变器比两电平逆变器的总损耗小、效率高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王庆斌		29	84	5.0	7.0
2	黄辉		29	66	5.0	6.0
3	李钙		11	39	4.0	6.0
4	余泓圻		3	6	1.0	2.0
5	程向文		2	17	2.0	2.0
6	陈岭辉		1	5	1.0	1.0