氮化镓GaN在射频RF功率放大器的应用

• 作者: 刘晓文
• 来源期刊: 集成电路应用
• 学科: 工学
• 关键词: 功率放大器 射频 氮化镓 兰格耦合器
• 年，卷（期）: 2018,（2）
• 所属期刊栏目: 创新应用
• 页码范围: 67-70
• 页数: 4页
• 分类号: TM76
• 字数: 3103字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19339/j.issn.1674-2583.2018.02.016

摘要

对于提供最佳功率、效率和带宽的权衡促进了各种不同的研发技巧和半导体技术.每一种不同拓扑和技术都有可能在半导体市场占据一席之地,这是因为它们每一个都有优势,这也是它们能够在当前生存的原因所在.这里关注几个值得信赖的结果,展现这些当前技术在实现高功率、效率和带宽时的可能性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘晓文	贵州大学物理学院	1	0	0.0	0.0