不同剂量中波紫外线对原代角质形成细胞增殖和自噬的影响

• 作者: 宋健文 张英 王博 黄惠梅
• 来源期刊: 山西医科大学学报
• 学科: 医学
• 关键词: 角质形成细胞 中波紫外线 细胞增殖 细胞自噬
• 年，卷（期）: 2018,（8）
• 所属期刊栏目: 基础医学
• 页码范围: 938-942
• 页数: 5页
• 分类号: R758.1
• 字数: 4682字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13753/j.issn.1007-6611.2018.08.012

摘要

目的 初步探讨原代角质形成细胞接受不同剂量中波紫外线(UVB)照射后细胞增殖和自噬的变化情况. 方法 分离人皮肤角质形成细胞,用0,10,20,40 mJ/cm2剂量UVB照射细胞,照射后12 h,MTT法检测细胞增殖活力,MDC染色检测细胞自噬表达阳性率,Western blot法检测不同剂量UVB照射以及照射后0,2,4,8h自噬相关蛋白LC3的表达水平.分别使用自噬抑制剂氯喹和促进剂雷帕霉素预处理原代角质形成细胞,通过UVB照射后检测细胞的存活率. 结果 UVB照射后,原代角质形成细胞的增殖活力显著降低,10,20,40 mJ/cm2照射组的A490值分别为1.067±0.028,0.968±0.056,0.889±0.018,显著低于对照组(0 mJ/cm2)的1.135±0.040(F =51.079,P＜0.001).UVB照射使原代角质形成细胞的自噬表达阳性率显著增加,10,20和40mJ/cm2照射组的细胞自噬表达阳性率分别为(16.81±0.23)％,(30.66±0.59)％和(24.93±0.29)％,显著高于对照组[(9.60±0.55)％,F=2148.2,P＜0.001].随UVB照射剂量增加,原代角质形成细胞自噬相关蛋白LC3-Ⅱ表达水平逐渐升高,且20 mJ/cm2 UVB照射角质形成细胞后,自噬相关蛋白LC3-Ⅱ表达水平在照射后2h最高,照射后4-8h逐渐降低.雷帕霉素预处理有提高UVB照射后角质形成细胞存活率的趋势,而氯喹预处理可显著降低UVB照射后角质形成细胞的存活率,差异具有统计学意义(P＜0.001). 结论 10,20,40mJ/cm2的UVB照射对原代角质形成细胞增殖具有抑制作用,对细胞自噬的发生具有促进作用,氯喹抑制自噬可显著降低UVB照射后角质形成细胞的存活率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王博	西安交通大学第一附属医院转化医学中心	93	249	8.0	12.0
3	黄惠梅	西安市儿童医院肾脏科	14	60	6.0	7.0
4	张英	西安交通大学第一附属医院消化内科	21	103	5.0	10.0
7	宋健文	西安市儿童医院皮肤科	5	11	2.0	3.0