高压大功率芯片封装的散热研究与优化设计

• 作者: 杨勋勇 杨发顺 王德成 王志宽 胡锐 陈潇
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 三维封装模型 单片型高压功率芯片 散热效率
• 年，卷（期）: 2018,（6）
• 所属期刊栏目: 测试与封装
• 页码范围: 850-854
• 页数: 5页
• 分类号: TN407
• 语种: 中文
• DOI: 10.13911/j.cnki.1004-3365.180236

摘要

针对单片高压功率集成电路芯片,利用Flo THERM软件,建立三维结构的封装模型,并对各模型进行了仿真.研究了在不同基片材料、不同粘结层材料、不同封装外壳条件下封装模型的温度变化情况,分析得出一个最优的封装方案.结果表明,当基片材料采用BeO陶瓷、粘结层采用AuSn20合金焊料、封装外壳采用金属Cu时,该封装模型的温度最低、散热效率最高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨发顺	贵州大学电子科学系	54	125	5.0	8.0
2	陈潇		3	10	2.0	3.0
3	胡锐		7	17	3.0	3.0
4	王志宽	中国电子科技集团公司第二十四研究所	4	11	3.0	3.0
5	王德成		2	6	2.0	2.0
6	杨勋勇	贵州大学电子科学系	2	3	1.0	1.0