功率VDMOS(带氮化硅结构)的UIS失效改善

• 作者: 冯超 王振宇 郝志杰
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: DMOS UIS 带氮化硅结构
• 年，卷（期）: 2018,（8）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 44-48
• 页数: 5页
• 分类号: TN306
• 字数: 2977字
• 语种: 中文

摘要

功率VDMOS器件是最为普遍的开关器件.而UIS发生过程是指功率VDMOS器件在整个系统中所能承受的最严峻电应力以及热应力的考验过程,所以抵抗UIS失效能力成为衡量其可靠性的重要指标.针对UIS的测试方法和机理做了简单的介绍,同时针对某款功率VDMOS产品的UIS改善方案进行了详细的描述.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王振宇	北京大学软件与微电子学院	188	970	18.0	23.0
2	冯超		1	1	1.0	1.0
6	郝志杰		1	1	1.0	1.0