基于SiO2薄膜的915nm半导体激光器的无杂质空位诱导量子阱混合研究

• 作者: 侯继达 刘素平 朱凌妮 王鑫 赵懿昊 马骁宇
• 来源期刊: 光子学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 半导体激光器 光学灾变 量子阱混杂 非吸收窗口 薄膜
• 年，卷（期）: 2018,（3）
• 所属期刊栏目: 激光与激光光学
• 页码范围: 94-100
• 页数: 7页
• 分类号: O436
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/gzxb20184703.0314003

摘要

为了提高915 nm半导体激光器腔面抗光学灾变的能力,采用基于SiO 薄膜无杂质诱导量子阱混合法制备符合915 nm半导体激光器AlGaInAs单量子阱的非吸收窗口.研究了无杂质空位诱导量子阱混合理论及不同退火温度、不同退火时间、SiO 薄膜厚度、SiO2薄膜折射率、不同盖片等试验参数对制备非吸窗口的影响,并且讨论了SiO2薄膜介质膜的多孔性对无杂质诱导量子阱混合的影响.实验制备出蓝移波长为53 nm的非吸收窗口,最佳制备非吸收窗口条件为退火温度为875℃,退火时间为90s,SiO2薄膜折射率为1.447,厚度为200 nm,使用GaAs盖片.