65nm体硅工艺NMOS中单粒子多瞬态效应的研究

• 作者: 吴郁 李哲 梁永生 郑宏超
• 来源期刊: 电子科技
• 学科: 工学
• 关键词: 单粒子效应 单粒子瞬态 电荷共享 抗辐射
• 年，卷（期）: 2018,（1）
• 页码范围: 12-15
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 3442字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16180/j.cnki.issn1007-7820.2018.01.004

摘要

针对NMOS场效应晶体管由重离子辐射诱导发生的单粒子多瞬态现象,参考65 nm体硅CMOS的单粒子瞬态效应的试验数据,采用TCAD仿真手段,搭建了65 nm体硅NMOS晶体管的TCAD模型,并进一步对无加固结构、保护环结构、保护漏结构以及保护环加保护漏结构的抗单粒子瞬态效应的机理和能力进行仿真分析.结果表明,NMOS器件的源结和保护环结构的抗单粒子多瞬态效应的效果更加明显.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴郁	北京工业大学信息学部	38	215	9.0	13.0
2	郑宏超		16	23	2.0	4.0
3	梁永生	北京工业大学信息学部	2	12	1.0	2.0
4	李哲		3	1	1.0	1.0