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摘要:
通过激光照射可以在金属-氧化物-半导体(MOS)结构中实现电阻变化,使用二氧化碳激光照射多壁碳纳米管-二氧化硅-硅(MWNTs-SiO2-Si)结构,观察电阻随时间变化的瞬态响应.研究表明对硅片施加正偏压,可以增大器件的电阻值,对硅片施加负偏压,可以减小器件的电阻值.二氧化碳激光的功率越小,电阻达到极值所需的时间越长;反之,二氧化碳激光功率越大,电阻达到极值所需的时间越短.
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文献信息
篇名 二氧化碳激光的光致电阻效应
来源期刊 上海工程技术大学学报 学科 物理学
关键词 二氧化碳激光 多壁碳纳米管 热电子 电阻
年,卷(期) 2018,(4) 所属期刊栏目 化学化工与材料工程
研究方向 页码范围 315-318
页数 4页 分类号 O439
字数 1301字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1009-444X.2018.04.005
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 朱鹏飞 上海工程技术大学城市轨道交通学院 18 14 2.0 3.0
2 孙旭 上海工程技术大学城市轨道交通学院 5 68 4.0 5.0
3 赵廷仪 上海工程技术大学城市轨道交通学院 2 1 1.0 1.0
4 马聆乐 上海工程技术大学城市轨道交通学院 2 1 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
二氧化碳激光
多壁碳纳米管
热电子
电阻
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
上海工程技术大学学报
季刊
1009-444X
31-1598/T
16开
上海市松江大学城龙腾路333号
1987
chi
出版文献量(篇)
1693
总下载数(次)
1
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