红光发射GaN:Eu材料与器件研究进展

• 作者: 夏永禄 毛红敏 王晓丹 韩晶晶
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN:Eu 材料制备 发光机理 器件
• 年，卷（期）: 2018,（10）
• 页码范围: 2064-2069
• 页数: 6页
• 分类号: TN304
• 字数: 2852字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2018.10.011

摘要

第三代宽禁带半导体材料氮化镓(GaN)以其优异的电学和光学性能受到了产业界和科研界的重视.稀土离子Eu掺杂GaN材料,既具备了稀土元素优异的光学性能,又充分发挥了半导体材料的优势,可用于制备新型红光LED器件.因此,对GaN:Eu材料的制备方法,发光机理及器件研究进展进行了总结,并对其未来发展趋势进行了展望.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	毛红敏	苏州科技大学数理学院江苏省微纳热流技术与能源应用重点实验室	15	14	2.0	2.0
2	王晓丹	苏州科技大学数理学院江苏省微纳热流技术与能源应用重点实验室	19	29	3.0	4.0
3	夏永禄	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	3	1	1.0	1.0
4	韩晶晶	苏州科技大学数理学院江苏省微纳热流技术与能源应用重点实验室	1	0	0.0	0.0