脉冲偏压对磁控溅射制备ITO薄膜性能的影响

• 作者: 王昆仑 辛艳青
• 来源期刊: 真空
• 学科: 工学
• 关键词: ITO薄膜 磁控溅射 脉冲偏压 电学特性
• 年，卷（期）: 2018,（2）
• 页码范围: 30-33
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2|TB43|O484
• 字数: 2576字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13385/j.cnki.vacuum.2018.02.08

摘要

室温下,利用脉冲偏压辅助射频磁控溅射方法,在玻璃衬底上制备了铟锡氧化物(ITO)薄膜.研究了当占空比为20％时,脉冲偏压大小对薄膜结构、形貌、光电特性的影响.实验结果表明:当偏压为40V时,薄膜(400)方向晶粒尺寸最大,为60.6nm,此时薄膜结晶程度最好,其电阻率和霍尔迁移率分别为3.78×10-4Ω·cm、33.22 cm2·V-1·s-1,可见光波段平均透过率为85％,性能优异.