一种新型单粒子翻转加固SRAM单元

• 作者: 刘群 刘鸿瑾 张建锋 李天文 稂时楠 袁大威
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 单粒子翻转(SEU) 静态随机存储器(SRAM) 抗辐照加固设计 多节点翻转 存储器
• 年，卷（期）: 2018,（12）
• 所属期刊栏目: 可靠性
• 页码范围: 941-948
• 页数: 8页
• 分类号: TN432|TP333
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2018.12.011

摘要

随着器件特征尺寸缩小,发生在敏感节点之间的电荷共享使加固静态随机存储器(SRAM)单元容易发生单粒子翻转(SEU).通过对ROCK,WHIT,Quatrol及JUNG等SRAM单元的SEU加固机理分析,提出一种新型SEU加固SRAM单元,并从面积、延时、功耗和SEU恢复时间等方面对传统加固单元和新结构进行了对比与分析.结果表明新型SEU加固SRAM单元具有更高的临界电荷和更低的SEU恢复时间.由于其只有两个翻转敏感节点对,新结构抗SEU的能力优于ROCK,Quatrol和JUNG结构.新提出的结构以较小的面积和性能代价,显著提高SRAM单元抗SEU能力,可有效降低SRAM型存储器在深亚微米工艺节点的软错误率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘鸿瑾		13	72	5.0	8.0
3	稂时楠	北京工业大学信息学部	6	8	2.0	2.0
6	李天文		1	0	0.0	0.0
7	张建锋		1	0	0.0	0.0
8	刘群		1	0	0.0	0.0
9	袁大威		1	0	0.0	0.0