基于变压力的CCOS光学研抛技术

• 作者: 万勇建 余德平 刘侮涛 叶枫菲 赵洪深
• 来源期刊: 光电工程
• 学科: 物理学
• 关键词: 光学加工 CCOS 变压力 研抛
• 年，卷（期）: 2018,（4）
• 所属期刊栏目: 科研论文
• 页码范围: 45-52
• 页数: 8页
• 分类号: O436.3
• 字数: 3847字
• 语种: 中文
• DOI: 10.12086/oee.2018.170642

摘要

在非球面及自由曲面加工中,应用最为成熟的是计算机控制光学表面成型(CCOS)技术.现有 CCOS 技术普遍采用恒压力研抛方法,加工过程中研抛压力保持恒压,通过控制驻留时间实现所需的去除量.本文研究了基于变压力的CCOS研抛方法,增加了调控维度,通过同时控制研抛压力和驻留时间实现所需的去除量.首先,对该方法建立了加工控制的数学模型.然后,测量分析了磨头榆出力的稳定性和响应速度,去除函数的稳定性.最终,在 K9村料平面镜上开展了正弦压力抛光的村料去除实验.结果表明,实测与理想正弦研抛压力周期一致,力误差标准差约为0.35 N,对去除面形PV和RMS的影响均不到9%;实际与仿真加工的面形轮廓周期一致,加工区域的面形误差在17%以内.本文实现了变压力研抛,验证了基于变压力的CCOS研抛方法在光学加工中的有效性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	万勇建	中国科学院光电技术研究所	33	180	8.0	11.0
2	余德平	四川大学制造科学与工程学院	20	57	4.0	6.0
3	赵洪深	中国科学院光电技术研究所	5	23	3.0	4.0
4	叶枫菲	四川大学制造科学与工程学院	1	1	1.0	1.0
8	刘侮涛	中国科学院光电技术研究所	1	1	1.0	1.0