硅通孔键合硅片预对准边缘信息采集与处理

• 作者: 伊锦旺 黄春霞
• 来源期刊: 计算机测量与控制
• 关键词: 硅通孔技术 预对准 最小二乘圆拟合 霍夫直线变换
• 年，卷（期）: 2018,（9）
• 所属期刊栏目: 设计与应用
• 页码范围: 205-209
• 页数: 5页
• 分类号: TP23
• 语种: 中文
• DOI: 10.16526/j.cnki.11-4762/tp.2018.09.044

摘要

研究硅通孔即TSV (through-silicon vias)键合硅片的预对准边缘信息采集与处理方法;TSV硅片与标准硅片相比,有减薄、键合不同心、边缘毛刺多、存在崩边;缺口被填充、内有鼓胶、镀铜等工艺特点,使得传统基于线阵CCD一维图像采集与处理预对准方法失败;针对TSV硅片的特点,把线阵CCD配合扫描运动采集的一维原始图像集拼接获得二维图像,应用二维图像处理技术提取边缘信息,硅片整周边缘数据用最小二乘圆拟合算法识别出圆心位置,缺口边缘数据用Hough直线变换识别出缺口两条斜边,其交点定位为缺口位置,从而实现TSV硅片的自动预对准;实际测量表明,该方法预对准重复性定位精度小于20 μm、预对准时间少于40 s,满足指标需求,为光刻机能够曝光TSV硅片提供有力支持.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	伊锦旺	厦门理工学院福建省光电技术与器件重点实验室	3	2	1.0	1.0
2	黄春霞	厦门理工学院福建省光电技术与器件重点实验室	1	0	0.0	0.0