基于类共振增强的分子结构成像

• 作者: 李卫东 郝小雷 郭静
• 来源期刊: 山西大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 强激光场 阈上电离 类共振增强 成像
• 年，卷（期）: 2018,（4）
• 所属期刊栏目: 物理
• 页码范围: 741-745
• 页数: 5页
• 分类号: O562.4
• 字数: 2172字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13451/j.cnki.shanxi.univ(nat.sci.).2018.01.24.003

摘要

阈上电离是强激光场与原子分子相互作用的基本现象之一.由于电离光电子携带了分子的信息,因此可以利用阈上电离对分子结构成像.类共振增强现象是一种新奇的高阶阈上电离现象,其对分子结构十分敏感,文章提出了一种利用类共振增强现象来提取分子结构信息的方法.基本思路是:首先得到类共振增强对应光强下,固定取向的分子以及对应的伴随原子的光电子能谱;其次将分子与原子能谱进行对比从而得到类共振增强区域的干涉结构,进而提取出分子的结构信息.利用S矩阵方法对上述方案进行了理论验证.计算了不同分子取向下N2以及其伴随原子Ar的高阶阈上电离能谱.分子与其伴随原子间的电离率比值在类共振增强区域会出现周期性的干涉结构,从而能够提取到分子的结构信息.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李卫东	山西大学理论物理研究所	16	15	2.0	3.0
2	郭静	山西大学理论物理研究所	10	6	1.0	2.0
3	郝小雷	山西大学理论物理研究所	5	2	1.0	1.0