铜掺杂对硒化锌量子点光电子特性的影响

• 作者: 李明豫 李葵英 梁关东 王文刚 翟瑞祥 赵杰
• 来源期刊: 燕山大学学报
• 学科: 化学
• 关键词: ZnSe纳米晶 Cu掺杂 表面光电压谱 场诱导表面光电压谱
• 年，卷（期）: 2018,（3）
• 所属期刊栏目: 材料科学与工程
• 页码范围: 252-258
• 页数: 7页
• 分类号: O649
• 字数: 4929字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-791X.2018.03.010

摘要

利用水相合成法制备Cu:ZnSe量子点.采用表面光伏技术和紫外-可见吸收光谱,辅以高分辨透射电子显微镜,激光拉曼谱和X射线衍射图谱,研究掺杂铜对于Cu:ZnSe量子点微结构和光生电荷转移跃迁行为的影响.结果表明,掺铜后Cu:ZnSe量子点主带隙电荷转移跃迁产生的SPV响应强度比未掺铜ZnSe量子点高一倍.Cu:ZnSe量子点对应的主带隙表面光伏响应峰发生明显红移,表明铜掺杂态的电子能级位于导带底附近,并具有受体能级特征.研究发现,由于掺杂Cu2+离子导致ZnSe量子点光学带隙变小,而且变小的程度随掺杂量的增加而有所提高.实验证实,由于Cu2+离子的引入,ZnSe量子点立方闪锌矿结构(111)晶面X射线衍射峰出现分叉现象,它们分别对应于立方硒铜矿(101)和(102)晶面.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵杰	燕山大学亚稳材料制备技术与科学国家重点实验室	9	61	4.0	7.0
2	梁关东	燕山大学亚稳材料制备技术与科学国家重点实验室	1	1	1.0	1.0
3	李明豫	燕山大学亚稳材料制备技术与科学国家重点实验室	1	1	1.0	1.0
4	翟瑞祥	燕山大学亚稳材料制备技术与科学国家重点实验室	1	1	1.0	1.0
5	王文刚	燕山大学亚稳材料制备技术与科学国家重点实验室	2	25	1.0	2.0