国产WCu热沉与氧化铝陶瓷匹配封接研究

• 作者: 张磊 杜少勋 牛丽娜 邹勇明
• 来源期刊: 河北省科学院学报
• 关键词: WCu热沉 封装外壳 残余应力 热沉变形 有限元仿真
• 年，卷（期）: 2018,（1）
• 页码范围: 46-51
• 页数: 6页
• 分类号: TG115|TN805
• 语种: 中文

摘要

采用有限元仿真软件建立了WCu热沉-陶瓷功率集成电路外壳的三维计算模型,并对不同Cu含量WCu热沉的封装残余应力进行了计算,从理论上分析了WCu热沉Cu含量对封装结构变形和残余应力分布的影响.结果表明,在Cu含量10~20% 范围内,随着Cu含量的增加,陶瓷件的峰值应力由大变小,后又升高,应力集中位置也发生转移;热沉变形方向由正向弯曲逐渐变为负向弯曲,该规律得以试验验证.研究结果对该结构封装外壳可靠性评估和优化设计具有指导意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邹勇明	中国电子科技集团公司第十三研究所	4	22	2.0	4.0
3	张磊	中国电子科技集团公司第十三研究所	46	76	4.0	7.0
5	牛丽娜	中国电子科技集团公司第十三研究所	1	1	1.0	1.0
9	杜少勋	中国电子科技集团公司第十三研究所	1	1	1.0	1.0