7nm工艺下片上电感耦合情况研究

• 作者: 吴双 高博 龚敏
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 片上电感 guardring ground shielding 耦合 品质因数
• 年，卷（期）: 2018,（8）
• 所属期刊栏目: 电路设计
• 页码范围: 17-22
• 页数: 6页
• 分类号: TM55
• 字数: 3938字
• 语种: 中文

摘要

基于TSMC N7工艺,使用了Cadence公司的Virtuoso和Lorentz Solution公司的PeakView作为仿真与验证平台,在不同的电磁屏蔽条件下,对制作在最上两层金属上的两个相互之间距离变化的片上电感的耦合情况进行了研究.通过二者电感值的改变,分析了其耦合关系,以丰富射频器件模型.