长波碲镉汞材料表面的氢化处理研究

• 作者: 史琪 李雄军 林占文 王向前 王海澎 耿松 蒋俊 韩福忠
• 来源期刊: 红外技术
• 学科: 工学
• 关键词: 长波碲镉汞 氢化处理 AFM 界面电学特性 I-V 焦平面器件测试
• 年，卷（期）: 2018,（7）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 668-672,711
• 页数: 6页
• 分类号: TN215
• 字数: 3925字
• 语种: 中文

摘要

本文基于ICP方法对长波HgCdTe材料表面进行了氢化处理,首次在同一焦平面器件上实现了氢化工艺效果的对比.利用原子力显微镜(AFM)、低温探针台系统和焦平面测试系统对HgCdTe材料表面微观形貌及相关器件的电学特性进行了表征分析,结果表明:对长波HgCdTe材料表面进行氢化处理能有效降低MIS器件的界面态、改善二极管器件性能,同时能够增大焦平面器件的信号响应度、减小盲元率.该研究对改善长波HgCdTe/钝化层的界面态以及提高长波HgCdTe器件性能提供了依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李雄军		24	68	4.0	7.0
2	韩福忠		19	61	5.0	6.0
3	史琪		5	5	1.0	2.0
4	王向前		4	1	1.0	1.0
5	耿松		4	5	1.0	2.0
6	蒋俊		2	4	1.0	2.0
7	林占文		3	1	1.0	1.0
8	王海澎		1	0	0.0	0.0