超薄氧化铝层的电场调制效应

• 作者: 张卫 徐大朋 程佩红 陈琳
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 电场调制 阻变存储器 原子层沉积
• 年，卷（期）: 2018,（6）
• 页码范围: 693-698
• 页数: 6页
• 分类号: TN30
• 字数: 1618字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11972/j.issn.1001-9014.2018.06.010

摘要

研究了基于高k介质材料的阻变存储器的写入/擦除(SET/RESET)特性和物理机制.研究发现基于NbAlO材料的阻变存储器SET/RESET电压具有较大波动性,通过结构优化,在Al2O3/NbAlO/Al2O3纳米薄片堆垛结构器件中获得高度稳定性的可重复的阻变特性.基于电场调制效应,提出了一种统一的电阻开关模型去模拟阻变存储器的SET/RESET行为,并探讨了单层阻变薄膜的阻变存储器中由导电单元形成和湮灭的巨大随机性引起的阻变特性分布.当在NbAlO基阻变存储器中嵌入超薄Al2O3膜后,阻变存储器的SET/RESET电压稳定性将显著提升,其原因在于采用堆垛结构的阻变器件中各介质层中的电场重新分布并精确可控,因此导电细丝的导通/断裂通过电场调制作用稳定均匀地在发生在具有高电场的薄缓冲层介质层中.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈琳	复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室	91	712	14.0	23.0
2	张卫	复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室	43	271	10.0	14.0
3	徐大朋	复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室	1	0	0.0	0.0
4	程佩红	复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室	1	0	0.0	0.0