新型半导体深能级掺杂机制研究

• 作者: 夏建白 康俊 李京波 李树深 盖艳琴
• 来源期刊: 科学通报
• 关键词: 第一性原理计算 掺杂机制 d0铁磁性 掺杂瓶颈 二维半导体
• 年，卷（期）: 2018,（4）
• 所属期刊栏目: 进展/凝聚态物理学
• 页码范围: 365-370
• 页数: 6页
• 语种: 中文
• DOI: 10.1360/N972017-01266

摘要

掺杂技术是现代半导体技术的核心之一.本文介绍了荣获2017年国家自然科学奖二等奖的项目,重点围绕宽禁带半导体材料、二维半导体材料的能带结构和器件,系统地研究了几类重要的半导体材料的深能级掺杂机制,并进行性能预测.主要创新工作包括:(1)提出了钝化共掺杂方法,增加了TiO2的光催化效率;(2)发现了空穴导致非磁半导体中d0铁磁性的新的物理机制;(3)为克服小量子系统掺杂瓶颈,提出通过共掺杂方法在材料中形成杂质能带,降低杂质电离能以提高载流子浓度;(4)对两类新型的二维半导体材料,即过渡金属硫化物以及石墨炔,发现了一系列新奇的物理现象和掺杂机理.这些工作对半导体掺杂理论的发展、新一代纳米器件和第三代半导体器件的结构设计以及性能预测将起到重要的指导作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	夏建白	中国科学院半导体研究所	26	154	5.0	12.0
2	李树深	中国科学院半导体研究所	20	78	5.0	8.0
3	康俊	中国科学院半导体研究所	15	37	3.0	6.0
4	李京波	中国科学院半导体研究所	4	4	1.0	2.0
5	盖艳琴	中国科学院半导体研究所	1	0	0.0	0.0